何謂sic功率元件？ SiC 蕭特基二極體
1. 元件構造與特徵
SiC採用高速元件構造之SBD(蕭特基二極體)構造，可實現600V以上的高耐壓二極體(Si則SBD到200V左右)。 為此，藉由更換現在主流之高速PN接合二極體(FRD:快速回復二極體)可大幅削減回復損耗。
藉由電源的高效率化與高頻驅動，可使用較小的電感等被動元件、減低雜訊有所貢獻。以功率因數電路(PFC電路) 與整流橋接為中心，應用正擴展至空調、電源、太陽電池電源調節器、電動車急速充電器等領域。
2. SiC-SBD 的順方向特性
SiC-SBD的初始電壓與Si-FRD相同、接近1V。
初始電壓由蕭特基障礙的高度而決定，通常將障礙高度設計為低則初始電壓可壓低，但另一方面會有逆偏壓時的漏電流將增加這個取捨關係。
ROHM的第二世代SBD則透過改善製程，成功地將漏電流與回復性能保持與既有產品同等水準，同時將初始電壓減低約0.15V。
溫度依存性與Si-FRD不同，越是高溫、隨著動作電阻的增加Vf也增加。 因為不易熱失控，可安心並聯使用。
3. SiC-SBD 的回復特性
Si的高速PN二極體(FRD:快速回復二極體)從順向切換至逆向的瞬間通過大量的暫態電流，這個期間因為處於逆偏壓狀態，發生極大的損耗。
這是由於順向通電時，漂移層内累積的少數載子在消滅為止的期間(累積時間)有助於電氣傳導所引起。
順向電流越大或是溫度越高，回復時間會變長，回復電流也變大，形成巨大的損耗。
另一方面，由於SiC-SBD為不使用少數載子於電氣傳導之多數載子元件(FET)，理論上不發生少數載子的累積。僅產生接合面電容放電的小電流，較Si質FRD可大幅削減損耗。
由於此暫態電流幾乎不受溫度與順向電流影響，不論任何環境也能實現穩定的高速回復。
而且，也能減少因回復電流所產生的雜訊。
