導通電阻僅34mΩ為業界最低
ROHM運用矽深掘蝕刻技術,開始進行超接面(Super Junction) MOSFET的量產

2011-09-14


半導體製造商ROHM株式會社(總公司:日本京都市)全新推出創業界新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET,「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ, 34mΩ max45mΩ),適合太陽能發電系統的功率調節器使用。 本產品採用高散熱性的TO24PLUS封裝,預定自9月中旬起開始樣品出貨(樣品價格:1000日圓/個),2011年12月起開始進行量產。

隨著節能議題愈來愈受到關注,其中,太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源,因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張。因此,像是藉由改善功率轉換效率以達到節能效果,或是能降低損耗等,此類發電系統所使用的功率調節器對於功率MOSFET之要求也隨之愈來愈高。ROHM運用傳統的多層磊晶生長(epitaxial growth)方式,以垂直型pn接合多個並排的超接合(Super Junction)結構功率MOSFET,達到高效率目標。但此種方式所需的製程較複雜,因此在細微化以及生產性的提升上便成為難題。

本次ROHM採用了可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術,並藉由細微化與不純物濃度之最佳化的技術,導通電阻成功降低47%(與傳統產品相比),最適合容易受到低導通電阻影響的轉換器使用,另外搭配ROHM的快速回復二極體或碳化矽蕭特基二極體,亦可使用於變頻器等產品。本產品可大幅降低功率轉換時所造成的損耗,如此便能有效提高太陽能的發電效率,除此之外,為了滿足各種不同的電路需求,ROHM還計畫利用此一技術來研發具備更高耐壓特性的產品系列「PrestoMOS™」。

ROHM公司除了電阻膜式產品以外,還提供各種靜電容量式觸控面板控制器產品。今後,也將致力研發以拓展各種型式的觸控面板控制器LSI的產品線。

Product News : 超低導通電阻/高耐壓型MOSFET (PDF:382KB)

 

■高耐壓型功率MOSFET「R5050DNZ0C9」之主要特長

  1. 業界最高級距的低導通電阻
  2. 搭載高散熱性的TO247PLUS封裝


採用矽深掘蝕刻技術之超接合(Super Junction)結構

採用可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術。 可簡化製程,同時實現細微化目標。

  採用矽深掘蝕刻技術之超接合(Super Junction)結構


降低導通電阻達47%

※以傳統產品作為1

  降低導通電阻達47%


專有名詞說明

  1. 導通電阻
    亦即功率元件運作時的電阻值,是影響功率MOSFET性能最重要的一項參數,數值愈小表示性能愈高。
  2. 超接合(Super Junction)型MOSFET
    此種功率MOSFET係利用具備三度空間結構的空乏層空間,達成前所未有的低損耗目標。
  3. 碳化矽 (Silicon carbide:碳化矽)
    是一種能隙(Bandgap)約為矽的3倍,絕緣破壞電場高達10倍,以及熱傳導率約達3倍等具備絕佳物性之化合物半導體,
    此一特性適合功率元件及高溫工作環境使用,ROHM已於2010年4月展開蕭特基二極體量產,並且在2010年12月開始MOSFET量產。
  4. 「PrestoMOS™」系列
    是一款除了具備低導通電阻、低Qg外,還能讓內部二極體達到高速trr目標高耐壓型MOSFET系列。
    (「Presto」為義大利文,代表音樂術語中的速度標記「急板」。)
     
產品信息   MOSFET

關於此產品的詢問