ROHM新推出即使在高溫環境下也不會發生「熱崩潰」現象的超低IR蕭特基二極體
約可減少車用電子/電源裝置40%的耗電量

2012年6月21日

<主旨>

半導體製造商ROHM株式會社(總公司:日本京都市),全新研發出汽車電子/電源裝置專用,同時亦可適用於高溫環境的超低IR蕭特基二極體「RBxx8系列」。相較於傳統汽車電子產品所使用的整流二極體,本產品約可降低40%的耗電量,對於電動車(EV)及油電混合車(HEV)等追求低耗電之節能應用將可帶來巨大的貢獻。 本產品已自1月起開始樣品出貨(樣品售價:50 ~ 200日圓/個),並以月產100萬個的規模投入量產,製造據點方面,前段製程由ROHM WAKO Co., Ltd (位於日本岡山縣)進行,後段製程則由ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. (馬來西亞)、ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd. (泰國)、ROHM Korea Corporation (韓國)等公司進行。

 

<背景>

車用電子產品/電源裝置等的電路往往在高溫環境下使用,為了避免發生「熱崩潰」的現象,一般均使用整流二極體或快速回復二極體(FRD)。但由於整流二極體或快速回復二極體的VF值較高,因此往往難以達成電動車(EV)或油電混合車(HEV)所需的低耗電目標。 在此一背景下,市場上對於研發出既能在高溫環境下使用,同時並具備低VF值的蕭特基二極體產品的需求也日益殷切。

 

<新產品說明>

本次,ROHM藉由採用最適合高溫環境使用的金屬材料,實現業界最頂級的低IR目標。與傳統的蕭特基二極體產品相較之下,IR降低為原來的1/100,即使在高溫環境下也能使用。 因此,可完全取代整流二極體及快速回復二極體,大幅改善VF特性(比傳統的快速回復二極體低40%)。此外,低VF還能抑制發熱,成功縮小封裝體積,對於電子化、小型化需求日益強烈的電動車及油電混合車提供最有力的協助。 今後,ROHM將持續於降低VF及小型化,藉以完全取代整流二極體產品,為提升汽車電子產品及電源裝置的效率恪盡心力。ROHM預定將於7月11日(三) ~ 13日(五)於東京國際展示中心(Tokyo Big Sight)所舉辦的「TECHNO-FRONTIER 2012」中展示本產品,歡迎蒞臨ROHM的展場批評指教。

<特長>

•相較於傳統產品,損耗降低約40%
相較於汽車電子產品一般所使用的快速回復二極體,
VF降低約40%,有效達成低耗電的目標。 相較於傳統產品,損耗降低約40%

•採用小型封裝,有效精簡空間
相較於傳統產品,讓您能以單一尺寸小型封裝來設計產品。

 

採用小型封裝,有效精簡空間

 

•即使在高溫環境下也不會發生「熱崩潰」的現象
超低IR,即使在Ta=150ºC環境下,也不會發生「熱崩潰」的現象,最適合在車用電子產品等高溫環境下使用。


即使在高溫環境下也不會發生「熱崩潰」的現象

<規格> 

採用小型封裝,有效精簡空間

 

<專有名詞說明>

  1. 蕭特基二極體(Schottky-Barrier Diode:SBD)
    此種二極體係藉由金屬與半導體接觸時形成蕭特基接合面,並利用藉此所產生之整流性(二極體特性),具有順向下降電壓低、切換速度快等特性,主要用在切換式電源產品等。
  2. 快速回復二極體(Fast Recovery Diode:FRD)
    將所施加的順向電壓切換為逆向電壓時,電流將由逆向瞬間通過。此類二極體的電流變為零前所需要的時間,也就是逆回復時間較短。
  3. VF(Forward Voltage:順向電壓)
    亦即順向電流通過時,二極體所產生的電壓值,此數值愈小,耗電量就愈低。
  4. IR(Reverse Current:逆向電流)
    亦即施加逆向電壓時所產生的電流值,此數值愈小,耗電量就愈低。
  5. 熱崩潰
    當逆向損耗高於散熱量時,損耗就會大幅提高,此時產品的溫度將依指數函數而上升。

 

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