公開發表1200V/180A 全SiC 功率模組「BSM180D12P3C007」產品資料

搭配SiC Trench MOSFET!1200V/180A Full SiC 功率模組

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製品概要

BSM180D12P3C007的封裝

超越Si的極限、備受矚目的SiC元件。性能不斷進化。
ROHM成功量產採用溝槽構造之SiC-MOSFET,相較於量產中的平面型SiC-MOSFET,減少約50%的導通電阻、35%的輸入容量。採用本元件可將1200V180A全SiC功率模組商品化。

特點1

一般單溝槽構造和羅姆半導體的雙溝槽構造

・採用雙溝槽構造保有長期可靠性!

SiC-MOSFET採用溝槽構造,能有效降低導通電阻,深受產業界關注。然而,在產品化上,為了確保長時間可靠性,必須想辦法舒緩閘極溝槽處發生的電場集中現象。羅姆半導體採用獨家的雙溝槽構造,能有效減輕電場集中現象,拔得頭籌成功量產SiC Trench MOSFET。

特點2

・成功做出低導通電組的元件!

在相同尺寸的晶片中,和以往的平面型SiC-MOSFET相比,導通電阻約降低50%,且提升了開關性能(輸入電容約減少35%), 甚至可望進一步提升機器作業效率。

導通電阻 VS. 輸入容量特性
開關損耗比較

規格

・SiC溝槽MOSFET模組規格

型號 絕對最大額定 RDS(ON)
(mΩ)
封裝
VDSS
(V)
VGS
(V)
ID(A)
(Ta=60℃)
Tj(℃) Tstg
(℃)
Visol(V)
(AC 1min.)
BSM180D12P3C007 1200 -4~22 180 -40 to +175 -40 to +125 2500 10 C type
封裝 (C Type) / 内部電路圖

相關資料

在SiC Trench MOSFET配備 1200V/180A Full SiC 電源模組之外,未來將活用獨有的技術,依照客戶需求客製化產品,並努力進一步擴增系列產品的陣容。

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