1200V/300A Full SiC 功率模組
「BSM300D12P2E001」製品資料大公開

滿足大功率需求。1200V/300A Full SiC 功率模組 新增產品陣容!

產品概要

BSM300D12P2E001

除了Full SiC功率模組120A、180A品外,再新增300A型「BSM300D12P2E001」。
如此一來,可望應用在工具機用大容量電源等的大功率需求上。另外,和一般的Si-IGBT模組相比, 能大幅降低開關耗損,做到高頻驅動,有助於縮小周邊零件和冷卻系統的體積。

產品陣容

Full SiC電源模組新增300安培型!
品名 絕對最大額定(Ta=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
封裝 熱敏電阻 內部電路圖
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC
1min.)
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
- Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 -40 to
+150
20 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS -Trench Gate)
180 -40 to
+175
10 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 -40 to
+175
7.3 E
type
Internal Circuit Diagram(BSM300D12P2E001)
外形尺寸圖
C type E type
C type E type

■ 今後的展望

朝向更加大電流化,朝向更加高耐壓化

加裝採用高耐壓模組和溝槽構造的SiC元件,進一步研發出大額定電流值的產品,加強產品陣容。

特點1:降低開關耗損,成功做到高頻化

利用SiC模組降低切換損耗!且可應用在高頻

相較於同等額定電流值的IGBT模組,能大幅度降低開關耗損。更換IGBT模組後,可望大幅度降低開關耗損,並縮小冷卻機構的體積。此外,加裝高頻開關後,同樣能縮小線圈和電容器等周邊零件的體積。使用SiC模組,除了高度提升設備效率外,也有助於縮小裝置體積。

特點2:針對大電流化的安心設計

內部電路圖 - 說明
  • 採用獨家設計技術,減少約一半的電感。
    也成功做出額定電流300安培的製品。
  • 利用搭載熱敏電阻可避免過升溫。