全新研發-安裝面積減少50%;全球最小電晶體「VML0604」
低導通電阻化,對智慧型手機與穿戴式裝置的小型化、高功能化貢獻卓著

2014年4月22日

<主旨>
VML0604半導體製造商ROHM株式會社(總公司:日本京都市)專為智慧型手機與穿戴式裝置等要求小型、薄型的所有電子機器,研發出世界最小尺寸的電晶體「VML0604」(0.6mm×0.4mm、高度0.36mm)。
本產品已從2013年10月開始出貨樣品(樣品價格80日圓/個),預計2014年6月起開始量產、企劃月產能為1000萬個。此外,前製程工廠在ROHM公司(京都市)與ROHM Apollo公司(福岡縣)、後製程工廠則在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。

※ 2014年3月10日現在ROHM調查

<背景>
近年來,以智慧型手機與穿戴式裝置為首的電子機器市場,設備的小型化與高功能化持續進展,對於搭載的電子零件部品亦要求小型化、薄型化。
另一方面,電晶體除了打線的穩定性、封裝的加工精度等技術課題之外,再加上搭載元件的尺寸受限、導致導通電阻上升,產品線侷限於耐壓20V的產品。

<特點>
1. 尺寸世界最小、大幅減少安裝面積
此次,藉由新封裝與元件的新製程化,成功地開發出世界最小尺寸的電晶體「VML0604」(0.6mm×0.4mm、高度0.36mm)。
在封裝方面,内部構造的最佳化、透過導入高精度封裝加工技術,相較之前最小電晶體封裝的VML0806(0.8mm×0.6mm、高度0.36mm),安裝面積減少50%。電晶體封裝尺寸為世界最小。

新封裝預計開展至小訊號MOSFET,將有助於設備的空間精簡、高密度化。

尺寸世界最小、大幅減少安裝面積

2. 確保端子間距,安裝性也良好
隨著小型化的進展,基板的安裝變得困難,此次藉由確保端子間距0.2mm,安裝特性優異。

確保端子間距,安裝性也良好

3. 小型化之外,也達成世界最佳的低導通電阻
由於封裝小型化,可搭載元件的尺寸也受限。元件尺寸小的情況下,導通電阻將變得非常高、維持與舊有小訊號電晶體相同性能也相對困難。
不過,本產品由於元件上採用新製程,雖為耐壓30V產品的超小型電晶體,亦可達成世界最高性能的低導通電阻0.25Ω(VGS=4.5V時)。

小型化之外,也達成世界最佳的低導通電阻

4. 也追加了耐壓40~60V產品,產品線陣容擴大
相較以往,即使高耐壓也可維持低導通電阻,全新加入耐壓40~60V產品、擴充了產品陣容。

也追加了耐壓40~60V產品,產品線陣容擴大

型號 極性
(ch)
VDSS
(V)
ID
(A)
RDS(on) Typ.(Ω) 驅動電壓
(V)
VGS(V)
0.9 1.2 1.5 2.5 4.5 10
☆ RV3L003GN N 60 0.3 - - - - 2.6 1.8 4.5
☆ RV3J001YN 50 0.1 11 8.3 7.5 6.4 5.6 - 0.9
☆ RV3G006GN 40 0.6 - - - - 1.1 0.8 4.5
☆ RV3E007AJ 30 0.7 - - - 0.36 0.25 - 2.5
☆ RV3C002UN 20 0.15 - 3.8 2.7 1.7 1.4 - 1.2
☆ RV3E005AT P -30 -0.5 - - - - 0.9 0.62 4.5
☆ RV3C006BC -20 -0.6 - - 0.72 0.5 0.39 - 1.5
☆ RV3C001ZP -0.1 - 10 6.0 3.4 2.5 - 1.2
☆開発中

<名詞解釋>

  1. MOSFET
    擁有高速開關特點的一種電晶體。
  2. 導通電阻
    於閘極-源極間施加任意電壓時的汲極-源極間的電阻值。數值越小電流越容易流動、損耗亦少。

新產品速報
世界最小電晶體 VML0604 (520KB)

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