Electrically Erasable Programable ROM (可藉由電子方式進行刪除的非揮發性記憶體)。在基板上藉由電子信號的動作，將各個位址上的資料進行覆寫。
ROHM的EEPROM的可靠性已達業界最高水準，可覆寫高達100萬次，並能保存資料長達40年。全系列的記憶體元件上均導入ROHM獨創的W-CELL (雙元件)技術，具有極佳的高可靠性(資料的偶發性故障率為“零”)。

資料儲存年限(40年)與覆寫次數(100萬次)這兩種特性之間並無關聯性。因此，假使覆寫100萬次後，資料仍能儲存40年。

兩者的實測值依實際的溫度條件各有不同，如需索取實測值資料，請洽詢本公司業務人員。

能夠以400KHZ的時脈進行動作的序列2線式匯流排(完全符合I²C BUS的世界級標準)。
這是最常使用的一種介面，通常被應用在數位家電/藍芽模組/大型家電為主的設備中。

能夠以2Mhz進行動作的序列3線式匯流排(完全符合SPI BUS的世界級標準)。
主要應用於車用電子/硬碟(HDD)/主機板(MotherBoard)等產品。

能夠以2Mhz進行動作的序列3線式匯流排(完全符合SPI BUS的世界級標準)。
主要應用於車用電子/硬碟(HDD)/主機板(MotherBoard)等產品。

ROHM獨創的高可靠性記憶體元件結構。
一般(其它公司產品)的作法是1bit上分配1元件的記憶體，若記憶體元件發生偶發性故障時，資料將會產生錯誤。
ROHM則是分配2個元件的記憶體，即使1個元件發生偶發性故障，由於另一個記憶體元件仍為正常狀態，因此資料不會產生錯誤，確實保障客戶最重要的資料。

在使用者的使用過程中，記憶體元件突然發生故障的情形，並因此造成資料錯誤。
EEPROM記憶體元件的具有一定程度的複寫次數限制(ROHM的產品可達業界最高水準100萬次)。
在此一限制次數內，各公司均未保証產品不會發生偶發性故障的現象(僅於出貨時確認所有bit均為正常狀態)。
為改善此偶發性的不良情形，ROHM導入W-CELL (雙元件)結構，實現資料的高度可靠性。

您可以在您所要搜尋的該型號的詳細頁面中的「封裝」連結至外觀尺寸圖，其中的「安裝規格」內有詳細記載。

或者，您也可以參閱下列資訊。

您可以電話洽詢附近的業務部/業務單位， 或是透過此頁的表格詢問。

本公司並無任何建議使用的機型。

請注意已停產型號表中所列出的商品已無法販賣，請改用替代產品。
請參考“已停產型號表”。

雖然無法完全相容，但是您仍然可以參考下列與BR90□□功能相容的系列產品。
您也可以下載技術規格。

此時低電壓誤寫防止回路(LVcc回路)將開始作動，並同時取消寫入指令以防止資料誤寫。
在啟動時請注意要一併啟動“Power On Reset (P.O.R回路)”。

會造成已指定之位址上的資料損壞。請再次進行寫入作業。尚未指定之位址上的資料不會受到影響。

此功能可在啟動時將IC內部進行重置。
由於啟動時，IC內部回路及組件將會通過不穩定的低電壓來達到Vcc，因此我們建議將IC內部完全重置再啟動。啟動POR回路的建議條件已列於資料表中。

以位址為單位。

也就是每個位元保證可覆寫100萬次，

而非IC本身的覆寫次數。

註1) 覆寫次數取決於工作溫度條件如需索取覆寫次數的實測值資料，請另行洽詢本公司業務人員。

註2) 覆寫次數與資料儲存年限之間並無相關性。

可以。

當EEPROM寫入次數超過100萬次，記憶體單元內浮動閘極(Floating Gate)上將不容易存蓄電荷，因此無法寫入資料。
此時，無法存蓄電荷的單元就會變為L。

在最後一次的覆寫動作完成後，我們保証資料仍可保用40年。

I²C BUS
  寫入時間的定義如下:在BYTE WRITE模式時，為1byte的寫入時間。在PAGE WRITE模式時，則為寫入1頁的寫入時間。

SPI BUS
  寫入時間的定義如下:在寫入位元組時，將寫入1byte的時間定義為寫入時間。在寫入頁面時，則將寫入1頁面的時間定義為寫入時間。

Microwire Bus (BR93L□□ 系列產品, BR93H□□ 系列產品).
  寫入時間的定義如下:在寫入循環(WRITE)時，將寫入1byte的時間定義為寫入時間。在全位址寫入循環(WRAL)時，則將寫入全部位址的時間定義為寫入時間。

在100KHz max條件下的動作稱為STANDARD-MODE，而在400KHz max.條件下的動作則稱為FAST-MODE｡
個別的條件如下所示 1.8VVcc<2.5V=100KHz max. 2.5VVcc5.5V=400kHz max.｡

EEPROM內部完全處於NC (未接線)狀態，因此無論連接至GND/Vcc的任一側都可以。

只要有I²C BUS，就必須設定Slave address。

該位址所使用的端子為A2/A1/A0，而4 K bit/8 K bit/16 K bit係用來設定WORD ADDRESS(各種容量之詳細說明請參閱技術文件7/32頁中所刊載的Device addressing)， 端子為NC Pin，因此無論連接至GND/Vcc任一側都可以。

會。請避免在開路的狀態下使用。
A0、A1、A2端子代表裝置的位址。
只有當這些端子的H/L狀態和SCL、SDA透過序列方式輸入的A2 A1 A0 (裝置位址)一致時，系統才會選擇及識別EEPROM，同時正常執行動作。
當A0、A1、A2端子被設定為開路時，在端子狀態未確定狀態下，有可能會發生裝置位址不一致，並且無法動作的情形。

只要您是在ROHM所建議的工作條件下寫入資料，資料可靠性就完全不會出現問題。

可靠性試驗項目之相關詳細說明已刊載於ROHM網站EEPROM頁面上的可靠性試驗結果中。請參考此處。

只要將輸入PIN的上拉(Pull up)電阻值提高，即可讓啟動時的脈衝變小。
不過，如此一來會造成輸入訊號上升或下降時間變慢，因此必須特別注意動作時序特性。

微控制器的DI/O輸出及EEPROM的DO輸出會在下列2種情況下發生資料衝突，因此必須加上電阻。

1. 以讀取指令狀態下讀取A0位址資料作為1個時脈循環
   輸入位址資料A0 =「1」時，與輸出的多餘位元(Dummy Bit)「0」發生衝突，並產生貫通電流路徑。
2. 完成寫入指令後，進入CS = "H"時序。
   一旦在完成寫入指令後輸入指令，並且在維持微控制器DI/O輸出為「L」的狀態下，讓CS輸入上升，如此一來就會讓DO端子輸出READY輸出「H」，並產生貫通電流路徑。
   此時只要DI = H、SK = H，並啟動CS輸入，該訊號就會被視為起始位元，因此當啟動CS輸入時，必須設定為SK=L。

頁次選擇位元指的就是用來指定上層位址的位元。
指令中設有WA7～WA0等8個位元可作為位址指定位元，由於只能提供256種組合，因此當EEPROM的容量超過4 Kbit時，必須將SLAVE位址配置為位址指定位元。
在頁次選擇位元方面，請參閱下列參考資料以作為WA7～0的延伸位元處理。

BR24L04-W　　　PS　→　WA8
BR24L08-W　　　P1　→　WA9　　P0　→　WA8
BR24L16-W　　　P2　→　WA10 　P1　→　WA9　　P0　→　WA8
(參考)

型號	位址數	所需的位元數	指定位址	位元名稱
BR24L02-W	256	8		WA7～WA0
BR24L04-W	512	9	PS	WA7～WA0
BR24L08-W	1024	10	P1,P0	WA7～WA0
BR24L16-W	2048	11	P2,P1,P0	WA7～WA0

當輸入電壓進入中間電位時，就會造成無法判定端子為H輸入或L輸入的情形。
輸入電路會發生遲滯，TYP為0.2V左右。

ROHM的EEPROM全系列產品均符合RoHS指令。

請前往ROHM網站並進入EEPROM頁面即可瀏覽相關訊息。