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SiC產品中,個別半導體與模組品有不同的汲極-源極額定電流是為何?
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常見問題
SiC產品中,個別半導體與模組品有不同的汲極-源極額定電流是為何?
因為使用溫度條件不同。
模組:接合部溫度 (Tj)150℃,外殼溫度(Tc)60℃
MOSFET:接合部溫度 (Tj)175℃,外殼溫度(Tc)25℃
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC Schottky Barrier Diodes
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC Schottky Barrier Diodes Bare Die
,
SiC MOSFET Bare Die
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