DC/DC電源專用高效率MOSFET 
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0.9V驅動MOSFET |
250V耐壓型MOSFET RC系列 |
PrestoMOSTM |
小型複合型VMT6封裝 |
驅動LED背光模組用 功率MOSFET | MPT6封裝 | 高速切換式高耐電壓MOSFET | 靜音用電晶體 | KMD2封裝 | 第二代蕭特基二極體 |
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0.9V驅動MOSFET |
250V耐壓型MOSFET RC系列 |
PrestoMOSTM |
小型複合型VMT6封裝 | 驅動LED背光模組用 功率MOSFET | MPT6封裝 | 高速切換式高耐電壓MOSFET | 靜音用電晶體 | KMD2封裝 | 第二代蕭特基二極體 |
採用獨創的低容量結構，能有效降低同步整流型DC/DC電路High Side的切換損耗，低Rds ON特性同時也能降低Low Side的導通損耗，進而能大幅提昇電路的整體效率。
從VMN3 (1006 (0402 inch)尺寸) 到SST3 (2913 (1105 inch)尺寸）的豐富封裝產品陣容，能為追求小型化、輕量化、減少零件使用數及低功耗化帶來貢獻。
ROHM研發出全新的製程並將晶片設計進行最佳化，如此便能同時達到高功能、高di/dt破壞耐量及低Rds ON的目標。最適合需要高效率、節能、高di/dt破壞耐量之馬達驅動電路、投影機的光源電路等產品使用。
增加全新的高速trr型高耐壓MOSFET 「PrestoMOS系列」產品，最適合電源一體型轉換器等產品使用。利用高速切換以及提高內部二極體的trr等方式，讓產品達到高效率與低損失的目標，此外還可縮小電源基板的體積。
VMT3封裝內建2組元件，因此能達到小型化的目標。安裝面積較EMT6封裝減少43%。成功達成VMT3封裝的複合化目標。由於VT6T11、VT6T12、VT6X11、VT6X12可保障2元件之匹配性，因此最適合電流鏡電路使用(hFE1/hFE = 2.09 ~ 1.1)。
與CCFL (EEFL)相較之下，LED背光具有更佳的環境性能。LED背光驅動用MOSFET系列還配備VDSS = 45V/60V等產品陣容，最適合LED背光模組的升壓轉換器、負載開關電路使用。此外，還具備業界最高等級的低導通(ON)電阻，有效降低ON狀態下的耗電量。
以4540(1816 inch)尺寸達到2W的高功率。相較於SOP8封裝，安裝面積縮小40%、高度降低43%，有效減小裝置的體積。此外，採用全新研發的低導通(ON)電阻元件，因此能達到與SOP8雙元件產品同級的導通(ON)電阻。
透過使用新研發的低導通電阻製程、導通電阻降爲傳統産品的50％。大幅度提高切換速度，降低切換損失。
使用銅類材料作為導線架，有效降低磁場所造成的影響(US6H23)。創造高音質。更低的導通(ON)電阻，能夠大幅提升衰減率，並利用雙元件減少零件的使用數量，因此能夠達到節能與精簡空間的目標。
ROHM採用新研發的小型大功率KMD2封裝，投入蕭特基二極體(2種機型)的量產！！ROHM採用獨創研發的晶片元件結構以及於全球最小等級(0.6mm×0.3mm)小信號二極體封裝「GMD2」所累積的超精密加工技術，成功地研發出業界最小等級的功率二極體封裝KMD2 (1.6mm×0.8mm)。未來ROHM除了將致力於擴充SBD的產品系列外，亦將投入齊納二極體的研發工作。
採用特有的細微加工及設計結構，打破VF和IR的平衡關係，可同時降低VF和IR值。更加可以實現高ESD耐量。
