在使用時，不可有任一瞬間超過絕對最大額定值，否則可能會造成電晶體損壞或hFE降低。在單一PULSE時，請確認使用的範圍是否在安全動作領域(SOA)內。連續PULES時，必須出計算電力或元件溫度。詳細的判斷程序請參考「使用可否的判斷方法」/「元件溫度的計算方法」。
(請一併參閱“降額(Derating)”的相關項目。)

基極電流的最大額定值是集極電流之最大額定值的1/3 (使用Darlington電晶體時為1/10)。
例：2SD2656時
由於集極電流的最大額定值為DC時的1A以及PULSE時的2A，因此基極電流的最大額定值分別為DC時的333mA以及PULSE時的666mA。
若將數位電晶體維持在規格書中所記載的Vin額定值，則輸入電流就不會超過最大額定值。

NPN電晶體在將射極接地時，對集極施加正電壓時的耐壓即為規格書中所記載的V_CEO (PNP電晶體在將集極接地時，對射極所施加的正電壓為V_CEO。)
與此反方向(NPN的情形下，將集極接地，對射極施加正電壓時)的耐壓與射基極間的耐壓大約相同。射極-基極間之耐壓一般為5-7V，因此集極-射極間的逆向電壓請保持在5V以下(在集極-射極間加上大約與耐壓值相同的反向電壓時，可能會造成hFE值降低)。若集極-射極間的反向電壓在5V以下，則電流的流通程度僅約略與漏電流相同。

hFE的範圍已標示於本公司的規格書當中。有些產品標示有上下限，有些產品僅標示有下限。標示有上下限的產品，其實際值可能包含所有範圍之數值，而僅標示有下限的產品，其實際值可能會達到下限值的數倍。詳細資訊請與"本公司業務人員"洽詢。

以下藉由DTC114EKA為例來進行說明。

溫度25°C時，射極-基極間的順向電壓約為0.7V，由於每上升1°C，順向電壓大約會減少2.2mV，因此在50°C時，電壓將會變成0.7V - (50°C-25°C) x 2.2mV = 0.645V左右。相反的，在-40°C時，電壓將會變成0.7 + (25°C - (-40°C)) x 2.2mV = 0.843V左右。
如上所述，請注意順向電壓：V_F會依溫度而產生變化。另外在25°C時的順向電壓0.7V僅為參考值，誤差值大約為±0.1V。

內建於數位電晶體中的電阻R1或R2可能會有±30%左右的誤差，請將電阻值的最差條件列入考量後再進行計算。
由於順向電壓或電阻值可能會有誤差，因此上述的計算方式僅作為參考之用。

以下藉由DTC114EKA為例來進行說明。

藉由以上數據可以推導出，若順向電壓為Vf，則數位電晶體之啟動電壓Vi (on)的一般性計算公式為
Vi(on)=(Vf/R1)×R2+Vf。

由此結果可得知，數位電晶體的啟動電壓將由R1與R2的比例所決定。
ROHM的數位電晶體可藉由型號中的字母來得知啟動電壓。例如，型號DTC114EKA中的“E”字母(3行數字後的英文字母)，也就是R1的3行數字後的英文字母來得知啟動電壓。假設25°C時Vf = 0.7V，則結果如下。

由上可知，例如DTC143XKA型的驅動電壓約為1.05V，DTC114YKA型的驅動電壓約為0.84V。

* 依實際的電阻值比例與Vf的誤差而定，以上的驅動電壓可能會有20 ~ 30%的誤差，再加上溫度變化所造成的影響，因此請將此數值作為參考。在實際使用時，請在設計上保留充分的寬裕性。

（為求精確，在25°C，輸出電流約為100μA時，設定Vf = 0.5 ~ 0.6左右，而輸出電流約為1mA時，則設定Vf = 0.6 ~ 0.7V左右。）

* 以上範例雖為DTC型(NPN型)，但由於DTA型等PNP型的Vf值幾乎相同，因此在PNP型上亦成立。

1.5V驅動的意義為是指可驅動電晶體的最小VGS電壓1.5V，因此可更換為1.8V、2.5V驅動品。但在GATE-SOURCE間電壓施加最大額定：±10V以上的電壓時，請使用4V的驅動產品。

各產品都有其各自的SOA (Safe Operating Area)，若位於其範圍內，則可判斷為可使用。
例：V_DS = 20V、Idpeak = 2A、Pw = 100μs時　⇒　位於Pw = 100μs的範圍內，因此可以使用。

可適用小訊號封裝產品(請另行洽詢)。

必須配合環境溫度降低(derating)額定功率(Pc)。請參考下列圖表，並配合環境減少施加在電晶體上的電力。



必須針對安全動作範圍(SOA)進行降額(derating)，詳細資訊請參閱『為了安全地使用ROHM的電晶體-可否使用TR的判斷方法』。

在電氣的特性上，例如雙極電晶體/數位電晶體都有輸入電壓(V_BE, V_I(on), V_I(off),)、 h_FE, G_I依溫度而變動的特性。請參考電氣特性區線來設計出不易隨著溫度變化而產生問題的電路。MOSFET亦需進行相同考量。