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4V Drive Nch+2.5V DrivePch MOSFET

US6M1

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TUMT6

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[ 商品概要 ]

場效電晶體MOSFET。整合Pch MOSFET元件及Pch MOSFET元件。透過高階製程技術並針對行動裝置開發出具有低導通電阻特性的低耗電功率MOSFET。依據不同的用途,我們也提供小型、高功率和複合品等豐富的產品線,以應市場需求。

特長

4V驅動Type Nch+2.5V驅動TypePch 中功率MOSFET

產品規格

最大額定值 (Ta=25ºC) (Tr1)
Rated parameters Standard value Conditions
Drain-Source voltage VDSS(V) 30  
Gate-Source voltage VGSS(V) 20  
Drain current(continuous) ID(A) ±1.4  
Source current(body Di) IS(A) 0.6  
Total power dissipation PD(W) 1 Mounted on a ceramic board
Channel temperature Tch(°C) 150  
Storage temperature Tstg(°C) -55 ~ +150  
最大額定值 (Ta=25ºC) (Tr2)
Rated parameters Standard value Conditions
Drain-Source voltage VDSS(V) -20  
Gate-Source voltage VGSS(V) 12  
Drain current(continuous) ID(A) ±1  
Source current(body Di) IS(A) -0.4  
Total power dissipation PD(W) 1 Mounted on a ceramic board
Channel temperature Tch(°C) 150  
Storage temperature Tstg(°C) -55 ~ +150  

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請務必在檢討產品規格時向我們索取最新產品規格書。


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Because the series had been added, it became easy to use. LSI Quick Search


產品狀況

Part No. Package Status
*		 RoHS Packing
style		 Package
quantity		 Sales
US6M1TR TUMT6 Active Yes Taping 3000 Inquiry

* Active: 量產中  Preparation: 準備中  Preview: 開發中

其他產品陣容

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