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ES6U3
外觀
WEMT6
外觀尺寸
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等效電路圖
[ 商品概要 ]
場效電晶體MOSFET。將採用高階製程技術的低導通電阻MOSFET與蕭特基二極體(SBD)做結合,豐富的產品線以回應各市場需求。
特長
• 以1.6×1.6mm的安裝面積實現了高功率、省空間的MOSFET
產品規格
| 最大額定值 (Ta=25ºC) (Tr) |
| Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) |
30 |
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| Gate-Source voltage VGSS(V) |
±20 |
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| Drain current(continuous) ID(A) |
±1.4 |
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| Source current(body Di) IS(A) |
0.5 |
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| Total power dissipation PD(W) |
0.8 |
Mounted on a ceramic board |
| Channel temperature Tch(°C) |
150 |
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| Storage temperature Tstg(°C) |
-55 ~ +150 |
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| 最大額定值 (Ta=25ºC) (Di) |
| Rated parameters |
Standard value |
Conditions |
| Repetitive peak reverse voltage VRM(V) |
25 |
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| Reverse voltage VR(V) |
20 |
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| Forward current IF(A) |
0.5 |
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| Forward current surge peak IFSM(A) |
2 |
60Hz/1cyc |
| Total power dissipation PD(W) |
0.8 |
Mounted on a ceramic board |
| Junction temperature Tj(°C) |
150 |
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| Storage temperature Tstg(°C) |
-55 ~ +150 |
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*此處刊載內容若有變更將不另行通知，
請務必在檢討產品規格時向我們索取最新產品規格書。
產品狀況
| Part No. |
Package |
Status
* |
RoHS |
Packing
style |
Package
quantity |
Sales |
| ES6U3T2R |
WEMT6 |
Active |
Yes |
Taping |
8000 |
Inquiry |
* Active: 量產中 Preparation: 準備中 Preview: 開發中
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 電晶體
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3.5MB)
7.09MB)
資料手冊 (204K)
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