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複合式電晶體(BIP+BIP)

IMX9

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Design Model
可靠性資料 使用時注意事項 上錫安裝條件

外觀

IMX9 Outline

SMT6

外觀尺寸

IMX9 Dimensions

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等效電路圖

IMX9 等価回路図

[ 商品概要 ]

超小型封裝內建2顆電晶體。從前級放大器的差動放大回路到高頻石英震盪器、驅動等各用途,我們都備有適用的產品。

特長

• 前級放大器用超小型複合雙載子電晶體

產品規格

最大額定值 (Ta=25ºC)
Rated parameters Standard value Conditions
Collector-Base voltage VCBO(V) 25  
Collector-Emitter voltage VCEO(V) 20  
Emitter-Base voltage VEBO(V) 12  
Collector current(continuous) IC(A) 0.5  
Collector current(pulse) ICP -  
Element power dissipation PD(W) 0.2  
Total power dissipation PD(W) 0.3  
Junction temperature Tj(ºC) 150  
Storage temterature Tstg(ºC) -55 ~ +150  

*此處刊載內容若有變更將不另行通知,
請務必在檢討產品規格時向我們索取最新產品規格書。



產品狀況

Part No. Package Status
*
RoHS Packing
style
Package
quantity
Sales
IMX9T110 SMT6/SC-74/SOT-457
@ROHM/JEDEC/JEITA
Active Yes Taping 3000 Inquiry

* Active: 量產中  Preparation: 準備中  Preview: 開發中

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