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SiC功率元件

SiC Power Devices

次世代低損耗SiC(碳化矽)元件有著低切換損失與高溫環境下操作特性優越等優點, 故對於太陽能或風力發電等的DC/AC轉換器, 油電混合與電動汽車中的充電器, 工業用與空調系統的Invertor等產品, SiC元件都扮演著節能化產品中的主要元件(key component)。 Pb Free/Rohs Logo

產品介紹


SiC蕭特基屏障二極體

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因為Total Capacitive Charge(Qc)小、故可減少切換損失、亦可達到高速切換。
另外、Si材料FRB (Fast Recovery Diode)的trr會因溫度上升而增加、但SiC卻不受溫昇影響, 幾乎可維持在一定的特性。

SiC MOSFET

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原理上因為switching動作時沒有尾電流(tail current), 故可高速動作, 且降低切換損失。
Chip面積不需太大, 即可達成低導通電阻, 故可做到低電容量與低Gate charge。Si元件的導通阻抗會隨著溫度上升而增加2倍以上; SiC的導通阻抗增加量則相對較小, 對於產品的小型化與節能化有所貢獻。

主題

SiC Power Devices and Modules


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