導通電阻僅34mΩ為業界最低
ROHM運用矽深掘蝕刻技術，開始進行超接面(Super Junction) MOSFET的量產

半導體製造商ROHM株式會社(總公司：日本京都市)全新推出創業界新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET，「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。
本產品採用高散熱性的TO24PLUS封裝，預定自9月中旬起開始樣品出貨(樣品價格：1000日圓/個)，2011年12月起開始進行量產。

隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張。因此，像是藉由改善功率轉換效率以達到節能效果，或是能降低損耗等，此類發電系統所使用的功率調節器對於功率MOSFET之要求也隨之愈來愈高。ROHM運用傳統的多層磊晶生長(epitaxial growth)方式，以垂直型pn接合多個並排的超接合(Super Junction)結構功率MOSFET，達到高效率目標。但此種方式所需的製程較複雜，因此在細微化以及生產性的提升上便成為難題。

本次ROHM採用了可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術，並藉由細微化與不純物濃度之最佳化的技術，導通電阻成功降低47%(與傳統產品相比)，最適合容易受到低導通電阻影響的轉換器使用，另外搭配ROHM的快速回復二極體或碳化矽蕭特基二極體，亦可使用於變頻器等產品。本產品可大幅降低功率轉換時所造成的損耗，如此便能有效提高太陽能的發電效率，除此之外，為了滿足各種不同的電路需求，ROHM還計畫利用此一技術來研發具備更高耐壓特性的產品系列「PrestoMOS™」。

ROHM公司除了電阻膜式產品以外，還提供各種靜電容量式觸控面板控制器產品。今後，也將致力研發以拓展各種型式的觸控面板控制器LSI的產品線。

Product News　:　超低導通電阻/高耐壓型MOSFET (PDF:382KB)

■高耐壓型功率MOSFET「R5050DNZ0C9」之主要特長

1. 業界最高級距的低導通電阻
2. 搭載高散熱性的TO247PLUS封裝

■採用矽深掘蝕刻技術之超接合(Super Junction)結構

採用可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術。
可簡化製程，同時實現細微化目標。

■降低導通電阻達47%

※以傳統產品作為1

■專有名詞說明

1. 導通電阻
   亦即功率元件運作時的電阻值，是影響功率MOSFET性能最重要的一項參數，數值愈小表示性能愈高。
2. 超接合(Super Junction)型MOSFET
   此種功率MOSFET係利用具備三度空間結構的空乏層空間，達成前所未有的低損耗目標。
3. 碳化矽 (Silicon carbide：碳化矽)
   是一種能隙(Bandgap)約為矽的3倍，絕緣破壞電場高達10倍，以及熱傳導率約達3倍等具備絕佳物性之化合物半導體，此一特性適合功率元件及高溫工作環境使用，ROHM已於2010年4月展開蕭特基二極體量產，並且在2010年12月開始MOSFET量產。
4. 「PrestoMOS™」系列
   是一款除了具備低導通電阻、低Qg外，還能讓內部二極體達到高速trr目標高耐壓型MOSFET系列。
   (「Presto」為義大利文，代表音樂術語中的速度標記「急板」。)

MOSFET