ROHM推出高耐壓MOSFET「F系列」!
擁有高速切換與低導通電阻，大幅降低內部二極體的反向回復時間(trr)

半導體製造商ROHM Co., Ltd. (總公司位於日本京都市)全新研發出業界最高性能*的高耐壓功率MOSFET「F系列」， 適用於液晶電視的背光模組Inverter、照明用Inverter﹑馬達驅動器及切換式電源等使用橋式電路的各種應用。 此新系列產品將自2009年2月起開始樣品出貨(樣品價格300日圓/個)，並預定自2009年4月起以月產100萬個的規模投入量產。 前段製程於ROHM Apollo Device Co., LTd. (日本福岡縣)與ROHM TSUKUBA Co., Ltd. (日本茨城縣)進行， 後段製程則於ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (泰國)進行。

近年來，隨著液晶電視等電器產品對於節能化的需求日益增加，市場上對於電源相關電路的電晶體等半導體裝置的高效率化以及減少零件數量等各種需求也愈來愈高。以目前500 to 600V級的高耐壓MOSFET而言，該類產品具備高效率的特性，切換速度不但較傳統的平板(Planer)結構快，其具備低導通電阻的超級接合面(Super Junction)結構亦已成為市場的主流。然而，超級接合面結構在結構上具有內部二極體的反向回復時間(以下簡稱：trr)較長的問題。因此，若要將該類產品使用於再生電流會通過MOSFET內部二極體之橋式電路時，就必須以並聯方式將快速回復二極體(以下簡稱：FRD)加在汲極(Drain)與源極(Source)之間。

為了能夠讓trr達到高速化，ROHM新開發的「F系列」領先業界，讓具備超級接合面結構的MOSFET元件內部局部形成Trap Level，與一般的超級接合面結構產品相比，成功將trr由160ns減為70ns，降低達60%。在元件內部形成Trap Level後，雖然trr的速度變快了，不過卻讓超級接合面型結構在形成上遭遇困難。即使如此，ROHM仍然排除萬難解決問題，領先全世界成功地研發出能在元件內部局部形成Trap Level的超級接合面MOSFET。
如此一來，即使未安裝快速回復二極體(FRD)，也能使用於橋式電路，而且還能夠藉由減少零件的使用量、縮小基板面積或藉由高頻化可使用體積較小的變壓器等，對產品的小型化與低成本化有莫大貢獻。

除了本次所推出的「F系列」外，未來ROHM仍將運用獨創的尖端製程加工技術，以顧客需求為優先考量，
致力於研發電晶體產品。

■高速trr/高速切換式高耐壓MOSFET「F系列」的主要特長

1. 藉由Trap Level形成方式達到高速trr的目標(較傳統產品減少約60%)
2. 高速切換：RDS(on)×Qgd = 7.3Ω/nC
3. 低導通電阻 ： 4.3Ω/mm²

■電路範例

■名詞解釋

• 橋式電路
  在高側(High-side)與低側(Low-side)分別設置切換式裝置，而且讓該裝置能夠交互進行ON-OFF之電路即稱之，橋式電路分為半橋式與全橋式等2種。
• 平板(Planer)結構
  又稱為D-MOS結構，也就是利用雙重擴散的方式在矽基板的表面形成P型層與N型層之結構。
• 超級接合面結構
  以週期方式在矽機板內部排列為垂直型PN接合之結構。
• 反向回復時間（trr）
  亦即當MOSFET內部二極體的電壓由順向電壓朝逆向電壓的方向變化時，逆向電流在瞬間通過的時間。
• Trap Level
  用來降低載子累積量之能量準位。

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