ROHM領先全球，在車用電子產品的應用上研發出採用雙元件
(Double Cell)架構且支援125ºC SPI BUS的EEPROM系列產品

半導體製造商ROHM Co., Ltd. (總公司位於日本京都市)推出車用電子首創雙元件(Double Cell)架構，工作溫度125ºC保證且支援SPI BUS的EEPROM「BR25H□□0系列」(非揮發性記憶體)產品。ROHM提倡的高可靠性雙元件架構，已推展到全系列的EEPROM產品。此外，此新產品為模鑄型(Mold Type)產品最高規格的125ºC保證工作溫度，同時擁有業界最高等級的6kV靜電耐壓，即使是在行車電腦(ECU)的嚴酷環境下，在讀取預設值及寫入狀態資料時也能夠實現高度的可靠性。依記憶體容量及封裝方式的不同，本系列產品共推出12品項。

· 「BR25H□□0系列」的主要特長

1. 採用雙元件(Double Cell)結構，可消除記憶元件不良的情形
2. 廣泛的工作溫度範圍：- 40∼ +125ºC
3. 高靜電破壞耐壓：HBM 6kV (typ.)
4. 採用純金導線、純金接點，能確實提高連接時的可靠度
5. 內建雙重復位(Double Reset)功能，可藉此實現電源監控功能
6. 具有高速寫入的頁面寫入(Page Write)模式
7. 與SPI BUS的EEPROM相容，非常容易更換
8. 封裝尺寸(SOP8：6.2mm×5.0mm×1.71mm、SOP-J8：6.0mm×4.9mm×1.75mm)

· 無線通訊相關規格

容量 (bit)	架構 (bit)	品名／封裝		工作電壓 範圍(V)	寫入次數 (次)
		SOP8	SOP-J8		85ºC以下	125ºC以下
1K	128×8	BR25H010F-W	BR25H010FJ-W	2.5 ∼ 5.5	100萬	30萬
2K	256×8	BR25H020F-W	BR25H020FJ-W	2.5 ∼ 5.5	100萬	30萬
4K	512×8	BR25H040F-W	BR25H040FJ-W	2.5 ∼ 5.5	100萬	30萬
8K	1K×8	BR25H080F-W	BR25H080FJ-W	2.5 ∼ 5.5	100萬	30萬
16K	2K×8	BR25H160F-W	BR25H160FJ-W	2.5 ∼ 5.5	100萬	30萬
32K	4K×8	BR25H320F-W	BR25H320FJ-W	2.5 ∼ 5.5	100萬	30萬

近來年，汽車正急速電子化中，往往使用數十個ECU (行車電腦)來對對汽車的各部位進行各種電子控制。但在汽車這樣的特殊環境下，很可能會因為啟動引擎時所造成的突波、靜電、振動、及發熱等因素，因而使得電子零件經常處於故障的危險當中，因此具有高可靠性的電子零件便成為車用電子的必備條件。
ROHM此次所研發的『BR25H□□0系列』，可達到模鑄型(Mold Type)產品中最高等級125ºC工作溫度保證，以及業界最高等級的靜電耐壓6kV (HBM)。這是因為ROHM在產品的設計中除了加入了在民生消費用途方面大受好的雙元件(Double Cell)、雙重復位(Double Reset)、純金接點連接／純金導線之外，並透過包含電路與製程的高度備用設計(Redundancy Design)，徹底進行篩選檢測(Screening)及除錯(Debugging)所達成。不但可保證於85ºC的工作環境下寫入資料高達100萬次 ，更達到業界首創，保證可於125ºC的工作環境下寫入資料達30萬次。
此新產品將於今年2月開始樣品出貨(樣品價格：200日圓)，並預定自2007年9月起每月量產200萬個，前段製程將由Rohm Apollo Device Co., Ltd. (位於日本福岡縣)進行，後段製程則由ROHM ELECTRONICS PHILIPPINES, INC. (位於菲律賓)負責進行。
ROHM藉由獨創的雙元件結構及車用電子進階產品持續追求「高可靠度EEPROM」的目標，期望能夠對於汽車電子產業帶來貢獻。

· 名詞解釋

• 非揮發性記憶體 EEPROM
  使用者可以改寫記憶體裡面的資料，而且即使在電源切斷後，儲存在記憶體內的資料也不會消失的一種記憶體。非揮發性記憶體又分為可透過電流改寫資料的EEPROM，以及能夠一次將資料大量刪除或迅速改寫的快閃記憶體(Flash Memory)等。
• 雙元件(Double Cell)
  EEPROM的資料改寫動作乃是藉由讓電子通過通道(Tunnel)氧化膜的方式而得以達成，不過這樣的方式會對裝置造成壓力，而且有可能會在經過多次寫入後突然出現氧化膜劣化的情形。已產生劣化的記憶體元件會被固定在“資料1”而無法再次寫入。由於ROHM採用了雙元件(Double Cell)的結構，因此能夠將2個記憶體元件進行OR連接，如此一來，即使某一個記憶體元件發生故障，另一個也能夠正常工作，因此能夠繼續寫入資料。
  ROHM全系列的EEPROM產品均採用此雙元件結構。
  
• 雙重復位(Double Reset)功能雙重復位(Double Reset)功能
  IC或LSI當電源被開啟/關閉時，內部電路會出現極度不穩定的狀況。ROHM的EEPROM能夠利用2個電路(啟動重置電路以及低電壓誤動作防止電路)檢測出停電或是電源開啟/關閉時的低電壓狀態。低電壓時本功能會透過將內部電路強迫重置的方式，以避免錯誤寫入的情形發生。
• SPI BUS
  這是由美國摩托羅拉公司所開發的一種序列式介面，係由資料傳輸線、序列時脈、以及晶片選擇(CHIP SELECT)等腳位所組成。
  基本目的在於透過4線式介面來大幅減少訊號線的使用，SPI BUS最常被使用在快閃記憶體等的連接用途，目前已經有愈來愈多配備有ECU (行車電腦)的微電腦可支援SPI BUS。
  
• 靜電耐壓
  將靜電施加至裝置上時，裝置所能耐受的靜電電壓即稱為靜電耐壓。
• ECU
  配備在汽車上的控制用電腦，亦可說是汽車裝置中負責電子控制的電腦。
  也就是透過電腦來控制引擎、自動排擋或是ABS等的來進行控制的電子控制裝置。
  
• 篩選(Screening)
  找出初期不良或是偶發性不良後再將這些不良排除的過程即稱為篩選。包含了在製程中透過不施加任何壓力的方式所進行的外觀檢查，以及在生產完成後，針對準備出貨的良品施加不會造成產品品質劣化或損傷程度的壓力，促使潛在性的不良品的產生劣化現象後再加以剔除的老化試驗(Aging Test)。
• 除錯(Debugging)
  透過分析不良品的方式來找出造成結構不良的原因，接著將結果反映到製程上，以期達到品質改善的一連串動作即稱為「除錯(Debugging)」。
• 偶發性不良
  從初期不良到一般使用期間當中所發生的不良現象，一般認為主要的原因是因為偶發性的過電壓所造成的。
• 頁面寫入(Page Write) 模式
  本功能最多可一次同時寫入32 byte的資料，可縮短工廠在出貨時寫入初始值的時間，大幅提昇工廠的效率，每次進行頁面寫入時的最大頁面數將依容量而定，1∼4K的話大約是16 byte，8∼32K則是32 byte。

	EEPROM