ROHM研發完成小型高功率封裝「MPT6」(4540(1816)尺寸)
ROHM研發完成備有雙元件MOSFET系列產品，
能夠以4540(1816)尺寸完美地展現出SOP8(5060(2024)尺寸、2.0W)的性能。

半導體製造商ROHM Co., Ltd.(總公司位於日本京都市)已成功地在獨立研發的小型高功率模組上，研發出配備全新低導通(ON)電阻元件的「MPT6 Dual(雙元件)」系列。此系列產品主要適用於汽車導航裝置、攜帶型DVD播放機、筆記型電腦、遊樂器等有小型/薄型需求產品上的功率開關與馬達驅動裝置。
此產品將自2007年4月起陸續開始提供樣品，並預定自2007年8月起每月量產300萬個，前段製程預定由ROHM TSUKUBA CO., LTD(位於日本茨城縣)進行，後段製程則預定由位於泰國的ROHM INTEGRATED SYSTEMS(THAILAND)　CO., LTD.來負責進行。
汽車導航及攜帶型DVD播放機等裝置所使用的電路基板正逐漸朝向小型化發展，而其中MOSFET對於小型、大電流化的需求也日益提高。此次ROHM所研發的MPT6 Dual(雙元件)系列具備了與原有的SOP8包裝 (5060(2024)尺寸: 5.0×6.0×1.75mm)相同的額定功率表現(2.0W)，並以MPT6封裝達成了雙元件的目標。在尺寸方面，此產品在安裝面積上較SOP8減少了約40%，高度亦僅為1.0mm，較原先的產品減少了40%，因此更能夠促使基板小型化，並大幅增加在安装佈局上的自由度。
另外，由於此產品採用了新研發完成的低導通電阻材質，因此在實現小型化的同時，還能夠達成與先前的SOP8 Dual產品相同等級的導通電阻。ROHM將陸續投入雙元件(Nch+Nch及Nch+Pch)產品系列的量產。

· 産品系列

(Ta=25℃)

產品名稱 組成元件 額定功率 PD [W/total] Drain(汲極)- Source(源極)間 電壓 VDSS [V] 汲極(Drain)電流 ID [A] Drain(汲極)- Source(源極)間 導通電阻 RDS(on)* [mΩ] MP6K61 Nch + Nch 2.0 30 5 40 MP6K62 Nch + Nch 2.0 30 6 27 MP6M63 Nch + Pch 2.0 30 5 40 -30 -4.5 40

*VGS=10V

· MPT6 Dual系列的主要特色

1. 小型•高功率的「MPT6」封装(4540(1816)尺寸：4.5×4.0×1.0mm/2W)
   以4540(1816)尺寸達成與SOP8封装(5060(2024)尺寸：5.0×6.0×1.75mm)相同的包裝功率
   (安裝面積減少約40%、高度減少約40%)
2. 配備全新研發的低導通電阻元件，實現大容量額定電流ID=6A Max. (MP6K62)的目標

今後，ROHM將秉持著對於元件的微細加工技術及最為擅長的封裝技術，在電晶體的領域中，為研發出符合客戶需求的產品而持續努力。

· 名詞解釋

• 包裝功率PD(額定功率)
  亦即可消耗的最大容許電力值。本數值和Ta (環境溫度)、Tc (外殼的表面溫度)有關。
• Drain(汲極)-Source(源極)間電壓VDSS
  亦即可施加於Drain(汲極)-Source(源極)間的最大容許電壓值。
• 汲極(Drain)電流ID
  亦即可通過汲極(Drain)的最大容許電流值。
• Drain(汲極)-Source(源極)間導通電阻RDS(on)
  亦即在導通(ON)狀態下Drain(汲極)-Source(源極)間的電阻值。

	採用全新的雙元件(2元件)「MPT6」封裝