EEPROM採用晶圓級封裝。
進一步協助小型模組機器、行動裝置實現小型化的目標。

1. 超小型封裝，最適合小型模組使用
2. 封裝厚度為0.35 mm (MAX.)、0.4 mm (MAX.)、0.55 mm (MAX.)
3. 採用高可靠性雙元件結構、並配備雙重復位(Double Reset)功能

EEPROM的資料改寫動作乃是藉由讓電子通過通道(Tunnel)氧化膜的方式而得以達成，不過這樣的方式會對元件造成壓力，而且有可能會在經過多次寫入後出現氧化膜劣化的情形。已產生劣化的記憶體元件會被固定在“資料1”而無法再次寫入。
由於ROHM採用了雙元件(Double Cell)的結構，將2個記憶體元件以OR連接，即使其中一個記憶體元件發生故障，另一個也能夠正常工作。

IC並不擅長處理電源ON/OFF的動作。一旦發生較大的雜訊干擾，微控制器就容易出現錯誤動作，因而造成IC內部電路的不穩定。而OP放大器或是一般邏輯IC即使在電源ON時發生錯誤動作，也能迅速復歸，但相對地，EEPROM只要發生過一次錯誤動作，便會記憶該動作而造成無法復歸。ROHM所推出的高可靠性產品系列之EEPROM均使用2組防止電路，用於檢測停電或電源ON/OFF時的電壓狀態(開機復位/防止低電壓錯誤寫入電路)。且會在低電壓時，藉由強迫內部電路復位的方式，防止錯誤寫入的情形發生。

由晶圓製造到組裝的所有製程皆採用一貫化生產方式，因此能達到高品質的目標。在不同的場所進行晶圓的製造與封裝組裝工程，有效降低風險。